Name: TK16G60W,RVQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK16G60WRVQTR-ND
Price: 147.8741 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

TK16G60W,RVQ
Číslo produktu DigiKey	TK16G60WRVQTR-ND - Páska a cívka (TR) TK16G60WRVQCT-ND - Řezaná páska (CT) TK16G60WRVQDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	TK16G60W,RVQ
Popis	MOSFET N CH 600V 15.8A D2PAK
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 600 V 15,8A (Ta) 130W (Tc) Montáž na povrch D2PAK
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	TK16G60W,RVQ Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 3,7V při 790µA
Mfr Toshiba Semiconductor and Storage	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 38 nC @ 10 V
Řada DTMOSIV	Vgs (max) ±30V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1350 pF @ 300 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 130W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 600 V	Dodávaná velikost pouzdra D2PAK
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 15,8A (Ta)	Pouzdro TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Základní číslo produktu TK16G60
Rds zap (max) při Id, Vgs 190mOhm při 7,9A, 10V

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Náhrady (2)

Objednací číslo	Výrobce	DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ	Číslo produktu DigiKey	Jednotková cena	Typ náhrady
IPB60R160C6ATMA1	Infineon Technologies	1 092	IPB60R160C6ATMA1CT-ND	104,99000 Kč	Similar
IPB60R165CPATMA1	Infineon Technologies	4 804	IPB60R165CPATMA1CT-ND	123,26000 Kč	Similar