Name: IPB60R160C6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB60R160C6ATMA1TR-ND
Price: 106.8672 CZK
Availability: InStock

cms-photo-disclaimer

IPB60R160C6ATMA1
cms-digikey-product-number	IPB60R160C6ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) IPB60R160C6ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) IPB60R160C6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	Infineon Technologies
cms-manufacturer-product-number	IPB60R160C6ATMA1
cms-description	MOSFET N-CH 600V 23.8A D2PAK
cms-customer-reference
cms-detailed-description	N-kanál 600 V 23,8A (Tc) 176W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3
cms-datasheet	cms-datasheet
cms-eda-cad-models	IPB60R160C6ATMA1 Modely

cms-product-attributes

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	CoolMOS™ C6
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Není určeno pro nové konstrukce
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	600 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	23,8A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	160mOhm při 11,3A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3,5V při 750µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	75 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1660 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	176W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO263-3
Pouzdro	TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Základní číslo produktu	IPB60R160