Name: IPB60R160P6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB60R160P6ATMA1TR-ND
Price: 97.0541 CZK
Availability: InStock

IPB60R160P6ATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IPB60R160P6ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IPB60R160P6ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IPB60R160P6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPB60R160P6ATMA1
Popis	MOSFET N-CH 600V 23.8A D2PAK
Standardní dodací lhůta výrobce	17 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 600 V 23,8A (Tc) 176W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPB60R160P6ATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	CoolMOS™ P6
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	600 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	23,8A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	160mOhm při 9A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4,5V při 750µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	44 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	2080 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	176W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO263-3
Pouzdro	TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Základní číslo produktu	IPB60R160

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
1 000	28,00251 Kč	28 002,51 Kč
2 000	26,74358 Kč	53 487,16 Kč

Jednotková cena bez DPH:	80,21000 Kč
Jednotková cena s DPH:	97,05410 Kč

IPB60R160P6ATMA1