Name: IPB60R160P6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB60R160P6ATMA1TR-ND
Price: 82.6672 CZK
Availability: InStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

IPB60R160P6ATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IPB60R160P6ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IPB60R160P6ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IPB60R160P6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPB60R160P6ATMA1
Popis	MOSFET N-CH 600V 23.8A D2PAK
Standardní dodací lhůta výrobce	15 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 600 V 23,8A (Tc) 176W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPB60R160P6ATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	CoolMOS™ P6
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	600 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	23,8A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	160mOhm při 9A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4,5V při 750µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	44 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	2080 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	176W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO263-3
Pouzdro	TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Základní číslo produktu	IPB60R160

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
1 000	26,94485 Kč	26 944,85 Kč
2 000	26,52961 Kč	53 059,22 Kč

Jednotková cena bez DPH:	68,32000 Kč
Jednotková cena s DPH:	82,66720 Kč

IPB60R160P6ATMA1