N-kanál 650 V 13,7A (Ta) 130W (Tc) Průchozí otvor TO-247
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

TK14N65W,S1F

Číslo produktu DigiKey
TK14N65WS1F-ND
Výrobce
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce
TK14N65W,S1F
Popis
MOSFET N-CH 650V 13.7A TO247
Standardní dodací lhůta výrobce
16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 650 V 13,7A (Ta) 130W (Tc) Průchozí otvor TO-247
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
TK14N65W,S1F Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Toshiba Semiconductor and Storage
Řada
DTMOSIV
Balení
Trubice
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
13,7A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
250mOhm při 6,9A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
3,5V při 690µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
1300 pF @ 300 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
130W (Tc)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
TO-247
Pouzdro
TO-247-3
Základní číslo produktu
TK14N65
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 27
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Trubice
Množství Jednotková cena Celk. cena
1115,07000 Kč115,07 Kč
3064,47800 Kč1 934,34 Kč
12053,32267 Kč6 398,72 Kč
51045,14365 Kč23 023,26 Kč
1 02042,15904 Kč43 002,22 Kč
2 01039,71244 Kč79 822,00 Kč
Standardní balení výrobce
Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.
Jednotková cena bez DPH:115,07000 Kč
Jednotková cena s DPH:139,23470 Kč