Name: TK14G65W,RQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK14G65WRQTR-ND
Price: 73.0961 CZK
Availability: InStock

cms-photo-disclaimer

TK14G65W,RQ
cms-digikey-product-number	TK14G65WRQTR-ND - Páska a cívka (TR) TK14G65WRQCT-ND - Řezaná páska (CT) TK14G65WRQDKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	Toshiba Semiconductor and Storage
cms-manufacturer-product-number	TK14G65W,RQ
cms-description	MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK
cms-standard-lead-time	16 týdnů
cms-customer-reference
cms-detailed-description	N-kanál 650 V 13,7A (Ta) 130W (Tc) Montáž na povrch D2PAK
cms-datasheet	cms-datasheet
cms-eda-cad-models	TK14G65W,RQ Modely

cms-product-attributes

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Řada	DTMOSIV
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	13,7A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	250mOhm při 6,9A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3,5V při 690µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	35 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1300 pF @ 300 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	130W (Tc)
Provozní teplota	150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	D2PAK
Pouzdro	TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Základní číslo produktu	TK14G65