Name: TK12A53D(STA4,Q,M)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK12A53D(STA4QM)-ND
Price: 81.5056 CZK
Availability: OutOfStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

Informace

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

Kontaktujte nás

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

TK12A53D(STA4,Q,M)
Číslo produktu DigiKey	TK12A53D(STA4QM)-ND
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	TK12A53D(STA4,Q,M)
Popis	MOSFET N-CH 525V 12A TO220SIS
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 525 V 12A (Ta) 45W (Tc) Průchozí otvor TO-220SIS
Katalogový list	Katalogový list

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Řada	π-MOSVII
Balení	Trubice
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	525 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	12A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	580mOhm při 6A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	25 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1350 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	45W (Tc)
Provozní teplota	150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra	TO-220SIS
Pouzdro	Plná výzbroj TO-220-3
Základní číslo produktu	TK12A53

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
1	67,36000 Kč	67,36 Kč
50	33,76840 Kč	1 688,42 Kč
100	30,50360 Kč	3 050,36 Kč
500	24,78216 Kč	12 391,08 Kč
1 000	22,94408 Kč	22 944,08 Kč
2 000	21,97094 Kč	43 941,88 Kč

Jednotková cena bez DPH:	67,36000 Kč
Jednotková cena s DPH:	81,50560 Kč

TK12A53D(STA4,Q,M)

Informace

Nápověda

Kontaktujte nás

Sledujte nás