N-kanál 80 V 100A (Ta) 255W (Tc) Průchozí otvor TO-220
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

TK100E08N1,S1X

Číslo produktu DigiKey
TK100E08N1S1X-ND
Výrobce
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce
TK100E08N1,S1X
Popis
MOSFET N-CH 80V 100A TO220
Standardní dodací lhůta výrobce
16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 80 V 100A (Ta) 255W (Tc) Průchozí otvor TO-220
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
TK100E08N1,S1X Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Toshiba Semiconductor and Storage
Řada
U-MOSVIII-H
Balení
Trubice
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
80 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
100A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
3,2mOhm při 50A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
9000 pF @ 40 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
255W (Tc)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
TO-220
Pouzdro
TO-220-3
Základní číslo produktu
TK100E08
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 94
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Trubice
Množství Jednotková cena Celk. cena
1129,77000 Kč129,77 Kč
5068,35680 Kč3 417,84 Kč
10062,41660 Kč6 241,66 Kč
50052,01414 Kč26 007,07 Kč
1 00048,67483 Kč48 674,83 Kč
2 00046,69431 Kč93 388,62 Kč
Standardní balení výrobce
Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.
Jednotková cena bez DPH:129,77000 Kč
Jednotková cena s DPH:157,02170 Kč