Name: TK095N65Z5,S1F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK095N65Z5S1F(S-ND
Price: 204.0181 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

TK095N65Z5,S1F
Číslo produktu DigiKey	264-TK095N65Z5S1F(S-ND
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	TK095N65Z5,S1F
Popis	650V DTMOS6-HIGH SPEED DIODE
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 650 V 29A (Ta) 230W (Tc) Průchozí otvor TO-247
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Řada	DTMOSVI
Balení	Trubice
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	29A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	95mOhm při 14,5A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4,5V při 1,27mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	50 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	2880 pF @ 300 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	230W (Tc)
Provozní teplota	150°C
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra	TO-247
Pouzdro	TO-247-3

Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 195

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Trubice

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
1	168,61000 Kč	168,61 Kč
30	98,20533 Kč	2 946,16 Kč
120	82,72475 Kč	9 926,97 Kč
510	75,30618 Kč	38 406,15 Kč

Standardní balení výrobce

Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.