Name: TJ90S04M3L,LXHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TJ90S04M3LLXHQTR-ND
Price: 63.0894 CZK
Availability: InStock

P-kanál 40 V 90A (Ta) 180W (Tc) Montáž na povrch DPAK+

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

TJ90S04M3L,LXHQ
Číslo produktu DigiKey	264-TJ90S04M3LLXHQTR-ND - Páska a cívka (TR) 264-TJ90S04M3LLXHQCT-ND - Řezaná páska (CT) 264-TJ90S04M3LLXHQDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	TJ90S04M3L,LXHQ
Popis	MOSFET P-CH 40V 90A DPAK
Standardní dodací lhůta výrobce	32 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 40 V 90A (Ta) 180W (Tc) Montáž na povrch DPAK+
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	TJ90S04M3L,LXHQ Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 172 nC @ 10 V
Mfr Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs (max) +10V, -20V
Řada U-MOSVI	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 7700 pF @ 10 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Rozptylový výkon (Max) 180W (Tc)
Stav součásti Aktivní	Provozní teplota 175°C
Typ tranzistoru FET P-kanál	Třída Automobilový průmysl
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Kvalifikace AEC-Q101
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 40 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 90A (Ta)	Dodávaná velikost pouzdra DPAK+
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Pouzdro TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Rds zap (max) při Id, Vgs 4,3mOhm při 45A, 10V	Základní číslo produktu TJ90S04
Vgs(th) (max) při Id 2V při 1mA