Name: RD3G07BATTL1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RD3G07BATTL1TR-ND
Price: 78.9646 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

RD3G07BATTL1
Číslo produktu DigiKey	846-RD3G07BATTL1TR-ND - Páska a cívka (TR) 846-RD3G07BATTL1CT-ND - Řezaná páska (CT) 846-RD3G07BATTL1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Rohm Semiconductor
Číslo produktu výrobce	RD3G07BATTL1
Popis	PCH -40V -70A POWER MOSFET - RD3
Standardní dodací lhůta výrobce	21 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 40 V 70A (Tc) 101W (Tc) Montáž na povrch TO-252
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	RD3G07BATTL1 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Rohm Semiconductor
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	40 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	70A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	7,1mOhm při 70A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	105 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	5550 pF @ 20 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	101W (Tc)
Provozní teplota	150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	TO-252
Pouzdro	TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Základní číslo produktu	RD3G07