Name: RD3G07BATTL1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RD3G07BATTL1TR-ND
Price: 83.5263 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

RD3G07BATTL1
Číslo produktu DigiKey	846-RD3G07BATTL1TR-ND - Páska a cívka (TR) 846-RD3G07BATTL1CT-ND - Řezaná páska (CT) 846-RD3G07BATTL1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Rohm Semiconductor
Číslo produktu výrobce	RD3G07BATTL1
Popis	PCH -40V -70A POWER MOSFET - RD3
Standardní dodací lhůta výrobce	18 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 40 V 70A (Tc) 101W (Tc) Montáž na povrch TO-252
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	RD3G07BATTL1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2,5V při 1mA
Mfr Rohm Semiconductor	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 105 nC @ 10 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 5550 pF @ 20 V
Typ tranzistoru FET P-kanál	Rozptylový výkon (Max) 101W (Tc)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 40 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 70A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra TO-252
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Pouzdro TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Rds zap (max) při Id, Vgs 7,1mOhm při 70A, 10V	Základní číslo produktu RD3G07