Name: TJ8S06M3L,LXHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TJ8S06M3LLXHQTR-ND
Price: 34.1341 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

TJ8S06M3L,LXHQ
Číslo produktu DigiKey	264-TJ8S06M3LLXHQTR-ND - Páska a cívka (TR) 264-TJ8S06M3LLXHQCT-ND - Řezaná páska (CT) 264-TJ8S06M3LLXHQDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	TJ8S06M3L,LXHQ
Popis	MOSFET P-CH 60V 8A DPAK
Standardní dodací lhůta výrobce	32 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 60 V 8A (Ta) 27W (Tc) Montáž na povrch DPAK+
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	TJ8S06M3L,LXHQ Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Řada	U-MOSVI
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	8A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	6V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	104mOhm při 4A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	19 nC @ 10 V
Vgs (max)	+10V, -20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	890 pF @ 10 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	27W (Tc)
Provozní teplota	175°C
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	DPAK+
Pouzdro	TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Základní číslo produktu	TJ8S06