Name: SSM6N35AFE,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6N35AFELFTR-ND
Price: 9.1476 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SSM6N35AFE,LF
Číslo produktu DigiKey	SSM6N35AFELFTR-ND - Páska a cívka (TR) SSM6N35AFELFCT-ND - Řezaná páska (CT) SSM6N35AFELFDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	SSM6N35AFE,LF
Popis	MOSFET 2N-CH 20V 0.25A ES6
Standardní dodací lhůta výrobce	12 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 20V 250mA (Ta) 250mW Montáž na povrch ES6
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SSM6N35AFE,LF Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 1V při 100µA
Výrobce Toshiba Semiconductor and Storage	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 0,34nC při 4,5V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 36pF při 10V
Stav součásti Aktivní	Výkon - max 250mW
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota 150°C
Konfigurace 2 N-kanál (duální)	Způsob montáže Montáž na povrch
Funkce tranzistoru FET Hradlo logické úrovně, 1,2V pohon	Pouzdro SOT-563, SOT-666
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 20V	Dodávaná velikost pouzdra ES6
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 250mA (Ta)	Základní číslo produktu SSM6N35
Rds zap (max) při Id, Vgs 1,1Ohm při 150mA, 4,5V

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 19 248

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)