Name: BSZ110N08NS5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ110N08NS5ATMA1TR-ND
Price: 42.1806 CZK
Availability: OutOfStock

BSZ110N08NS5ATMA1
Číslo produktu DigiKey	BSZ110N08NS5ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) BSZ110N08NS5ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) BSZ110N08NS5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	BSZ110N08NS5ATMA1
Popis	MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON
Standardní dodací lhůta výrobce	61 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 80 V 40A (Tc) 50W (Tc) Montáž na povrch PG-TSDSON-8-FL
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	BSZ110N08NS5ATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	80 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	40A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	6V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	11mOhm při 20A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3,8V při 22µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	18.5 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1300 pF @ 40 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	50W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TSDSON-8-FL
Pouzdro	8-PowerTDFN
Základní číslo produktu	BSZ110

Jednotková cena bez DPH:	34,86000 Kč
Jednotková cena s DPH:	42,18060 Kč

BSZ110N08NS5ATMA1