Name: SSM6J512NU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6J512NULFTR-ND
Price: 15.246 CZK
Availability: InStock

SSM6J512NU,LF
Číslo produktu DigiKey	SSM6J512NULFTR-ND - Páska a cívka (TR) SSM6J512NULFCT-ND - Řezaná páska (CT) SSM6J512NULFDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	SSM6J512NU,LF
Popis	MOSFET P-CH 12V 10A 6UDFNB
Standardní dodací lhůta výrobce	12 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 12 V 10A (Ta) 1,25W (Ta) Montáž na povrch 6-UDFNB (2x2)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SSM6J512NU,LF Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Řada	U-MOSVII
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	12 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	10A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	1,8V, 8V
Rds zap (max) při Id, Vgs	16,2mOhm při 4A, 8V
Vgs(th) (max) při Id	1V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	19.5 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1400 pF @ 6 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	1,25W (Ta)
Provozní teplota	150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	6-UDFNB (2x2)
Pouzdro	6-WDFN podložka pro odvod tepla
Základní číslo produktu	SSM6J512

Jednotková cena bez DPH:	12,60000 Kč
Jednotková cena s DPH:	15,24600 Kč

SSM6J512NU,LF