Name: SSM6J507NU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6J507NULFTR-ND
Price: 19.1785 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SSM6J507NU,LF
Číslo produktu DigiKey	SSM6J507NULFTR-ND - Páska a cívka (TR) SSM6J507NULFCT-ND - Řezaná páska (CT) SSM6J507NULFDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	SSM6J507NU,LF
Popis	MOSFET P-CH 30V 10A 6UDFNB
Standardní dodací lhůta výrobce	12 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 30 V 10A (Ta) 1,25W (Ta) Montáž na povrch 6-UDFNB (2x2)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SSM6J507NU,LF Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2,2V při 250µA
Mfr Toshiba Semiconductor and Storage	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 20.4 nC @ 4.5 V
Řada U-MOSVI	Vgs (max) +20V, -25V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1150 pF @ 15 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 1,25W (Ta)
Typ tranzistoru FET P-kanál	Provozní teplota 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 30 V	Dodávaná velikost pouzdra 6-UDFNB (2x2)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 10A (Ta)	Pouzdro 6-WDFN podložka pro odvod tepla
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4V, 10V	Základní číslo produktu SSM6J507
Rds zap (max) při Id, Vgs 20mOhm při 4A, 10V

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 1 163

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)