Name: SSM6J507NU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6J507NULFTR-ND
Price: 18.0411 CZK
Availability: InStock

SSM6J507NU,LF
Číslo produktu DigiKey	SSM6J507NULFTR-ND - Páska a cívka (TR) SSM6J507NULFCT-ND - Řezaná páska (CT) SSM6J507NULFDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	SSM6J507NU,LF
Popis	MOSFET P-CH 30V 10A 6UDFNB
Standardní dodací lhůta výrobce	12 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 30 V 10A (Ta) 1,25W (Ta) Montáž na povrch 6-UDFNB (2x2)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SSM6J507NU,LF Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Řada	U-MOSVI
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	10A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	20mOhm při 4A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,2V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	20.4 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	+20V, -25V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1150 pF @ 15 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	1,25W (Ta)
Provozní teplota	150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	6-UDFNB (2x2)
Pouzdro	6-WDFN podložka pro odvod tepla
Základní číslo produktu	SSM6J507

Jednotková cena bez DPH:	14,91000 Kč
Jednotková cena s DPH:	18,04110 Kč

SSM6J507NU,LF