Name: SQS660CENW-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQS660CENW-T1_GE3TR-ND
Price: 36.0822 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SQS660CENW-T1_GE3
Číslo produktu DigiKey	742-SQS660CENW-T1_GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) 742-SQS660CENW-T1_GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) 742-SQS660CENW-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SQS660CENW-T1_GE3
Popis	AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Standardní dodací lhůta výrobce	37 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 18A (Tc) 62,5W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® 1212-8W
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2,5V při 250µA
Mfr Vishay Siliconix	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 26 nC @ 10 V
Řada TrenchFET®	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1950 pF @ 25 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 62,5W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Třída Automobilový průmysl
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 60 V	Kvalifikace AEC-Q101
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 18A (Tc)	Způsob montáže Montáž na povrch
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Dodávaná velikost pouzdra PowerPAK® 1212-8W
Rds zap (max) při Id, Vgs 11,2mOhm při 7A, 10V	Pouzdro PowerPAK® 1212-8W

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 7 436

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)