Name: SSM6J502NU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6J502NULFTR-ND
Price: 15.2823 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SSM6J502NU,LF
Číslo produktu DigiKey	SSM6J502NULFTR-ND - Páska a cívka (TR) SSM6J502NULFCT-ND - Řezaná páska (CT) SSM6J502NULFDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	SSM6J502NU,LF
Popis	MOSFET P-CH 20V 6A 6UDFNB
Standardní dodací lhůta výrobce	12 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 20 V 6A (Ta) 1W (Ta) Montáž na povrch 6-UDFNB (2x2)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SSM6J502NU,LF Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Řada	U-MOSVI
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	20 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	6A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	1,5V, 4,5V
Rds zap (max) při Id, Vgs	23,1mOhm při 4A, 4,5V
Vgs(th) (max) při Id	1V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	24.8 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±8V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1800 pF @ 10 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	1W (Ta)
Provozní teplota	150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	6-UDFNB (2x2)
Pouzdro	6-WDFN podložka pro odvod tepla
Základní číslo produktu	SSM6J502

Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 3 017

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)