Name: SSM6H19NU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6H19NULFTR-ND
Price: 13.7214 CZK
Availability: InStock

SSM6H19NU,LF
Číslo produktu DigiKey	SSM6H19NULFTR-ND - Páska a cívka (TR) SSM6H19NULFCT-ND - Řezaná páska (CT) SSM6H19NULFDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	SSM6H19NU,LF
Popis	MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN
Standardní dodací lhůta výrobce	12 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 40 V 2A (Ta) 1W (Ta) Montáž na povrch 6-UDFN (2x2)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SSM6H19NU,LF Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Řada	U-MOSVII-H
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	40 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	2A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	1,8V, 8V
Rds zap (max) při Id, Vgs	185mOhm při 1A, 8V
Vgs(th) (max) při Id	1,2V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	2.2 nC @ 4.2 V
Vgs (max)	±12V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	130 pF @ 10 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	1W (Ta)
Provozní teplota	150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	6-UDFN (2x2)
Pouzdro	6-UDFN podložka pro odvod tepla
Základní číslo produktu	SSM6H19

Jednotková cena bez DPH:	11,34000 Kč
Jednotková cena s DPH:	13,72140 Kč

SSM6H19NU,LF