Name: RN1102MFV,L3F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: RN1102MFVL3FTR-ND
Price: 5.2877 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

RN1102MFV,L3F
Číslo produktu DigiKey	RN1102MFVL3FTR-ND - Páska a cívka (TR) RN1102MFVL3FCT-ND - Řezaná páska (CT) RN1102MFVL3FDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	RN1102MFV,L3F
Popis	TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Standardní dodací lhůta výrobce	12 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Bipolární tranzistor s předpěťovým obvodem (BJT) NPN - s předpěťovým obvodem 50 V 100 mA 150 mW Montáž na povrch VESM
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	RN1102MFV,L3F Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Bipolární (BJT) Bipolární tranzistory - jednoduché a s předpěťovým obvodem
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru	NPN - s předpěťovým obvodem
Proud kolektoru (Ic) (max)	100 mA
Průrazné napětí kolektor - emitor (max)	50 V
Včetně rezistorů	R1 a R2
Odpor - báze (R1)	10 kOhms
Odpor - emitor- báze (R2)	10 kOhms
Stejnosměrný proudový zisk (hFE) (min) při Ic, Vce	50 při 10mA, 5V
Saturace Vce (max) při Ib, Ic	300mV při 500µA, 5mA
Zbytkový proud kolektoru (max)	500nA
Výkon - max	150 mW
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	SOT-723
Dodávaná velikost pouzdra	VESM
Základní číslo produktu	RN1102

Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Skladem: 20 177

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)