STW36NM60ND je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

Parametrický ekvivalent


STMicroelectronics
Skladem : 489
Jednotková cena : 220,59000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 111
Jednotková cena : 145,19000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 203
Jednotková cena : 174,56000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 298
Jednotková cena : 149,14000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 259
Jednotková cena : 96,03000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 103
Jednotková cena : 195,80000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 6
Jednotková cena : 597,82000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 0
Jednotková cena : 391,94007 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 263
Jednotková cena : 427,85000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 30
Jednotková cena : 815,49000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 0
Jednotková cena : 341,54187 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 0
Jednotková cena : 218,26230 Kč

Similar


IXYS
Skladem : 38
Jednotková cena : 593,86000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 526
Jednotková cena : 179,97000 Kč
Katalogový list
TO-247-3
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

STW36NM60ND

Číslo produktu DigiKey
497-13888-5-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
STW36NM60ND
Popis
MOSFET N-CH 600V 29A TO247
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 600 V 29A (Tc) 190W (Tc) Průchozí otvor TO-247-3
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
STW36NM60ND Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Trubice
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
600 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
110mOhm při 14,5A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
80.4 nC @ 10 V
Vgs (max)
±25V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
2785 pF @ 50 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
190W (Tc)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Třída
Automobilový průmysl
Kvalifikace
AEC-Q101
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
TO-247-3
Pouzdro
Základní číslo produktu
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.