STW36NM60ND je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

Parametrický ekvivalent


STMicroelectronics
Skladem : 487
Jednotková cena : 241,65000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 206
Jednotková cena : 146,72000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 240
Jednotková cena : 176,40000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 520
Jednotková cena : 165,03000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 248
Jednotková cena : 116,62000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 98
Jednotková cena : 197,87000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 6
Jednotková cena : 604,14000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 0
Jednotková cena : 396,07960 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 233
Jednotková cena : 432,37000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 30
Jednotková cena : 824,11000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 0
Jednotková cena : 345,14913 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 0
Jednotková cena : 220,56750 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 38
Jednotková cena : 600,14000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 524
Jednotková cena : 181,87000 Kč
Katalogový list
TO-247-3
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

STW36NM60ND

Číslo produktu DigiKey
497-13888-5-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
STW36NM60ND
Popis
MOSFET N-CH 600V 29A TO247
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 600 V 29A (Tc) 190W (Tc) Průchozí otvor TO-247-3
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
STW36NM60ND Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Trubice
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
600 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
110mOhm při 14,5A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
80.4 nC @ 10 V
Vgs (max)
±25V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
2785 pF @ 50 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
190W (Tc)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Třída
Automobilový průmysl
Kvalifikace
AEC-Q101
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
TO-247-3
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.