STW36NM60ND je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 4
Jednotková cena : 146,36000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 0
Jednotková cena : 175,96000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 790
Jednotková cena : 164,62000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 98
Jednotková cena : 116,33000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 3 889
Jednotková cena : 197,38000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 6
Jednotková cena : 602,64000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 0
Jednotková cena : 395,10117 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 232
Jednotková cena : 431,30000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 30
Jednotková cena : 822,07000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 0
Jednotková cena : 344,29650 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 0
Jednotková cena : 220,02263 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 38
Jednotková cena : 598,65000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 0,00000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 467
Jednotková cena : 147,20000 Kč
Katalogový list
N-kanál 600 V 29A (Tc) 190W (Tc) Průchozí otvor TO-247-3
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

STW36NM60ND

Číslo produktu DigiKey
497-13888-5-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
STW36NM60ND
Popis
MOSFET N-CH 600V 29A TO247
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 600 V 29A (Tc) 190W (Tc) Průchozí otvor TO-247-3
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
STW36NM60ND Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Trubice
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
600 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
110mOhm při 14,5A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
80.4 nC @ 10 V
Vgs (max)
±25V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
2785 pF @ 50 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
190W (Tc)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Třída
Automobilový průmysl
Kvalifikace
AEC-Q101
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
TO-247-3
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.