Name: STS8DN3LLH5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-10391-2-ND
Price: 61.7463 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

STS8DN3LLH5
Číslo produktu DigiKey	497-10391-2-ND - Páska a cívka (TR) 497-10391-1-ND - Řezaná páska (CT) 497-10391-6-ND - Digi-Reel®
Výrobce	STMicroelectronics
Číslo produktu výrobce	STS8DN3LLH5
Popis	MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC
Standardní dodací lhůta výrobce	13 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 30V 10A 2,7W Montáž na povrch 8-SOIC
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	STS8DN3LLH5 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 19mOhm při 5A, 10V
Výrobce STMicroelectronics	Vgs(th) (max) při Id 1V při 250µA
Řada STripFET™ V	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 5,4nC při 4,5V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 724pF při 25V
Stav součásti Aktivní	Výkon - max 2,7W
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Konfigurace 2 N-kanál (duální)	Způsob montáže Montáž na povrch
Funkce tranzistoru FET Hradlo logické úrovně	Pouzdro 8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 30V	Dodávaná velikost pouzdra 8-SOIC
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 10A	Základní číslo produktu STS8DN3