Name: DMG4822SSD-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMG4822SSD-13DITR-ND
Price: 26.4627 CZK
Availability: InStock

cms-photo-disclaimer

DMG4822SSD-13
cms-digikey-product-number	DMG4822SSD-13DITR-ND - Páska a cívka (TR) DMG4822SSD-13DICT-ND - Řezaná páska (CT) DMG4822SSD-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	Diodes Incorporated
cms-manufacturer-product-number	DMG4822SSD-13
cms-description	MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO
cms-standard-lead-time	12 týdnů
cms-customer-reference
cms-detailed-description	Pole MOSFET 30V 10A 1,42W Montáž na povrch 8-SO
cms-datasheet	cms-datasheet
cms-eda-cad-models	DMG4822SSD-13 Modely

cms-product-attributes

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Diodes Incorporated
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	2 N-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET	Hradlo logické úrovně
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	10A
Rds zap (max) při Id, Vgs	20mOhm při 8,5A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	10,5nC při 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	478,9pF při 16V
Výkon - max	1,42W
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Dodávaná velikost pouzdra	8-SO
Základní číslo produktu	DMG4822