STP80NF06 je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

Direct


STMicroelectronics
Skladem : 720
Jednotková cena : 58,52000 Kč
Katalogový list

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Skladem : 0
Jednotková cena : 15,39639 Kč
Katalogový list

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Skladem : 0
Jednotková cena : 13,36612 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 448
Jednotková cena : 57,89000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 538
Jednotková cena : 83,57000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 1 950
Jednotková cena : 43,15000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 1 000
Jednotková cena : 43,78000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 244
Jednotková cena : 36,42000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 13 404
Jednotková cena : 43,57000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 3 012
Jednotková cena : 52,20000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 18 907
Jednotková cena : 30,10000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 3 155
Jednotková cena : 36,21000 Kč
Katalogový list

Similar


Nexperia USA Inc.
Skladem : 570
Jednotková cena : 63,99000 Kč
Katalogový list
N-kanál 60 V 80A (Tc) 300W (Tc) Průchozí otvor TO-220
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

STP80NF06

Číslo produktu DigiKey
497-3201-5-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
STP80NF06
Popis
MOSFET N-CH 60V 80A TO220AB
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 60 V 80A (Tc) 300W (Tc) Průchozí otvor TO-220
Modely EDA/CAD
STP80NF06 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Trubice
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
8mOhm při 40A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
3850 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
300W (Tc)
Provozní teplota
175°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
TO-220
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.