Name: STH60N099DM9-2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STH60N099DM9-2AGTR-ND
Price: 145.1758 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

STH60N099DM9-2AG
Číslo produktu DigiKey	497-STH60N099DM9-2AGTR-ND - Páska a cívka (TR) 497-STH60N099DM9-2AGCT-ND - Řezaná páska (CT) 497-STH60N099DM9-2AGDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	STMicroelectronics
Číslo produktu výrobce	STH60N099DM9-2AG
Popis	MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 600 V 27A (Tc) 179W (Tc) Montáž na povrch TO-263 (D2PAK)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	STMicroelectronics
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	600 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	27A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	99mOhm při 13,5A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	44 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	2140 pF @ 400 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	179W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	TO-263 (D2PAK)
Pouzdro	TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB