Name: STH60N099DM9-2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STH60N099DM9-2AGTR-ND
Price: 158.8004 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

STH60N099DM9-2AG
Číslo produktu DigiKey	497-STH60N099DM9-2AGTR-ND - Páska a cívka (TR) 497-STH60N099DM9-2AGCT-ND - Řezaná páska (CT) 497-STH60N099DM9-2AGDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	STMicroelectronics
Číslo produktu výrobce	STH60N099DM9-2AG
Popis	MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
Standardní dodací lhůta výrobce	22 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 600 V 27A (Tc) 179W (Tc) Montáž na povrch TO-263 (D2PAK)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	STH60N099DM9-2AG Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4,5V při 250µA
Mfr STMicroelectronics	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 44 nC @ 10 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±30V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 2140 pF @ 400 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 179W (Tc)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 600 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 27A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra TO-263 (D2PAK)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Pouzdro TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Rds zap (max) při Id, Vgs 99mOhm při 13,5A, 10V