Name: GNP2025TD-ZTR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-GNP2025TD-ZTR-ND
Price: 558.7175 CZK
Availability: OutOfStock

Novinka od společnosti DigiKey

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

GNP2025TD-ZTR
Číslo produktu DigiKey	846-GNP2025TD-ZTR-ND - Páska a cívka (TR) 846-GNP2025TD-ZTRCT-ND - Řezaná páska (CT) 846-GNP2025TD-ZTRDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Rohm Semiconductor
Číslo produktu výrobce	GNP2025TD-ZTR
Popis	ECOGAN, 650V 59.8A TOLL-8N, E-MO
Standardní dodací lhůta výrobce	24 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 650 V 59,8A (TC) 291W (Tc) Montáž na povrch TOLL-8N
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2,5V při 46mA
Mfr Rohm Semiconductor	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 13.2 nC @ 6 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) +6,5V, -10V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 413 pF @ 400 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 291W (Tc)
Technologie GaNFET (Galium nitrid)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 650 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 59,8A (TC)	Dodávaná velikost pouzdra TOLL-8N
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 5V, 6V	Pouzdro 8-PowerSFN
Rds zap (max) při Id, Vgs 35mOhm při 12A, 6V	Základní číslo produktu GNP2025