SCTH90N65G2V-7 je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

MFR Recommended


STMicroelectronics
Skladem : 664
Jednotková cena : 328,68000 Kč
Katalogový list

MFR Recommended


STMicroelectronics
Skladem : 994
Jednotková cena : 237,75000 Kč
Katalogový list
N-kanál 650 V 90A (Tc) 330W (Tc) Montáž na povrch H2PAK-7
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SCTH90N65G2V-7

Číslo produktu DigiKey
497-18352-2-ND - Páska a cívka (TR)
497-18352-1-ND - Řezaná páska (CT)
497-18352-6-ND - Digi-Reel®
Výrobce
Číslo produktu výrobce
SCTH90N65G2V-7
Popis
SICFET N-CH 650V 90A H2PAK-7
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 650 V 90A (Tc) 330W (Tc) Montáž na povrch H2PAK-7
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
SCTH90N65G2V-7 Modely
Vlastnosti produktu
Filtrovat podobné produkty
Zobrazit prázdné atributy
Kategorie
Vgs(th) (max) při Id
5V při 1mA
Mfr
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
157 nC @ 18 V
Balení
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Vgs (max)
+22V, -10V
Stav součásti
Zastaralé
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
3300 pF @ 400 V
Typ tranzistoru FET
Rozptylový výkon (Max)
330W (Tc)
Technologie
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
650 V
Způsob montáže
Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Dodávaná velikost pouzdra
H2PAK-7
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
18V
Pouzdro
Rds zap (max) při Id, Vgs
26mOhm při 50A, 18V
Základní číslo produktu
Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu
Dotazy a odpovědi k produktům
Další zdroje
Náhrady (2)
Objednací čísloVýrobce DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍČíslo produktu DigiKey Jednotková cena Typ náhrady
SCT018H65G3-7STMicroelectronics664497-SCT018H65G3-7CT-ND328,68000 KčMFR Recommended
SCT055H65G3AGSTMicroelectronics994497-SCT055H65G3AGCT-ND237,75000 KčMFR Recommended
Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.