Name: SCT018H65G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCT018H65G3AGTR-ND
Price: 418.1518 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SCT018H65G3AG
Číslo produktu DigiKey	497-SCT018H65G3AGTR-ND - Páska a cívka (TR) 497-SCT018H65G3AGCT-ND - Řezaná páska (CT) 497-SCT018H65G3AGDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	STMicroelectronics
Číslo produktu výrobce	SCT018H65G3AG
Popis	H2PAK-7
Standardní dodací lhůta výrobce	21 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 650 V 55A (Tc) 385W (Tc) Montáž na povrch H2PAK-7
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SCT018H65G3AG Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 79.4 nC @ 18 V
Mfr STMicroelectronics	Vgs (max) +22V, -10V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 2124 pF @ 400 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 385W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie SiCFET (karbid křemíku)	Třída Automobilový průmysl
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 650 V	Kvalifikace AEC-Q101
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 55A (Tc)	Způsob montáže Montáž na povrch
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 15V, 18V	Dodávaná velikost pouzdra H2PAK-7
Rds zap (max) při Id, Vgs 27mOhm při 30A, 18V	Pouzdro TO-263-8, D2PAK (7 přívody + výstupek), TO-263CA
Vgs(th) (max) při Id 4,2V při 5mA