Name: SCT018H65G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCT018H65G3AGTR-ND
Price: 487.4485 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SCT018H65G3AG
Číslo produktu DigiKey	497-SCT018H65G3AGTR-ND - Páska a cívka (TR) 497-SCT018H65G3AGCT-ND - Řezaná páska (CT) 497-SCT018H65G3AGDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	STMicroelectronics
Číslo produktu výrobce	SCT018H65G3AG
Popis	H2PAK-7
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 650 V 55A (Tc) 385W (Tc) Montáž na povrch H2PAK-7
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SCT018H65G3AG Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	STMicroelectronics
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	SiCFET (karbid křemíku)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	55A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	15V, 18V
Rds zap (max) při Id, Vgs	27mOhm při 30A, 18V
Vgs(th) (max) při Id	4,2V při 5mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	79.4 nC @ 18 V
Vgs (max)	+22V, -10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	2124 pF @ 400 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	385W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	H2PAK-7
Pouzdro	TO-263-8, D2PAK (7 přívody + výstupek), TO-263CA