
GCMX005A120B3B1P | |
---|---|
Číslo produktu DigiKey | 1560-GCMX005A120B3B1P-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | GCMX005A120B3B1P |
Popis | MOSFET 4N-CH 1200V 383A |
Standardní dodací lhůta výrobce | 22 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 383A (Tc) 1,154kW (Tc) Montáž na šasi |
Katalogový list | Katalogový list |
Typ | Popis | Vybrat vše |
---|---|---|
Kategorie | ||
Výrobce | SemiQ | |
Řada | - | |
Balení | Nosič | |
Stav součásti | Aktivní | |
Technologie | Karbid křemíku (SiC) | |
Konfigurace | 4N-kanál (polomůstkový) | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 1200V (1,2kV) | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | 383A (Tc) | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 7mOhm při 200A, 20V | |
Vgs(th) (max) při Id | 4V při 80mA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 927nC při 20V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 23500pF při 800V | |
Výkon - max | 1,154kW (Tc) | |
Provozní teplota | -40°C ~ 175°C (TJ) | |
Třída | - | |
Kvalifikace | - | |
Způsob montáže | Montáž na šasi | |
Pouzdro | Modul | |
Dodávaná velikost pouzdra | - |
Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
---|---|---|
1 | 2 766,64000 Kč | 2 766,64 Kč |
10 | 2 413,15600 Kč | 24 131,56 Kč |
Jednotková cena bez DPH: | 2 766,64000 Kč |
---|---|
Jednotková cena s DPH: | 3 347,63440 Kč |