Name: GCMX005A120B3B1P
Brand: SemiQ
SKU: 1560-GCMX005A120B3B1P-ND
Price: 3382.9906 CZK
Availability: OutOfStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

GCMX005A120B3B1P
Číslo produktu DigiKey	1560-GCMX005A120B3B1P-ND
Výrobce	SemiQ
Číslo produktu výrobce	GCMX005A120B3B1P
Popis	MOSFET 4N-CH 1200V 383A
Standardní dodací lhůta výrobce	22 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 383A (Tc) 1,154kW (Tc) Montáž na šasi
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	SemiQ
Řada	-
Balení	Nosič
Stav součásti	Aktivní
Technologie	Karbid křemíku (SiC)
Konfigurace	4N-kanál (polomůstkový)
Funkce tranzistoru FET	-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	1200V (1,2kV)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	383A (Tc)
Rds zap (max) při Id, Vgs	7mOhm při 200A, 20V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 80mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	927nC při 20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	23500pF při 800V
Výkon - max	1,154kW (Tc)
Provozní teplota	-40°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na šasi
Pouzdro	Modul
Dodávaná velikost pouzdra	-

Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

0 Skladem

Zkontrolovat dodací lhůtu

Požádat o sdělení stavu zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Nosič

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
1	2 795,86000 Kč	2 795,86 Kč
10	2 438,64300 Kč	24 386,43 Kč

Standardní balení výrobce

Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.