Name: SH8J66TB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: SH8J66TB1TR-ND
Price: 84.6032 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SH8J66TB1
Číslo produktu DigiKey	SH8J66TB1TR-ND - Páska a cívka (TR) SH8J66TB1CT-ND - Řezaná páska (CT) SH8J66TB1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Rohm Semiconductor
Číslo produktu výrobce	SH8J66TB1
Popis	MOSFET 2P-CH 30V 9A 8SOP
Standardní dodací lhůta výrobce	18 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 30V 9A 2W Montáž na povrch 8-SOP
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SH8J66TB1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2,5V při 1mA
Výrobce Rohm Semiconductor	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 35nC při 5V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 3000pF při 10V
Stav součásti Aktivní	Výkon - max 2W
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota 150°C (TJ)
Konfigurace 2 P-kanál (duální)	Způsob montáže Montáž na povrch
Funkce tranzistoru FET Hradlo logické úrovně	Pouzdro 8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 30V	Dodávaná velikost pouzdra 8-SOP
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 9A	Základní číslo produktu SH8J66
Rds zap (max) při Id, Vgs 18,5mOhm při 9A, 10V