Name: SH8J66TB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: SH8J66TB1TR-ND
Price: 78.6379 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SH8J66TB1
Číslo produktu DigiKey	SH8J66TB1TR-ND - Páska a cívka (TR) SH8J66TB1CT-ND - Řezaná páska (CT) SH8J66TB1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Rohm Semiconductor
Číslo produktu výrobce	SH8J66TB1
Popis	MOSFET 2P-CH 30V 9A 8SOP
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 30V 9A 2W Montáž na povrch 8-SOP
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SH8J66TB1 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Rohm Semiconductor
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	2 P-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET	Hradlo logické úrovně
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	9A
Rds zap (max) při Id, Vgs	18,5mOhm při 9A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	35nC při 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	3000pF při 10V
Výkon - max	2W
Provozní teplota	150°C (TJ)
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Dodávaná velikost pouzdra	8-SOP
Základní číslo produktu	SH8J66