SCT2H12NYTB je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

MFR Recommended


Rohm Semiconductor
Skladem : 625
Jednotková cena : 114,57000 Kč
Katalogový list
N-kanál 1700 V 4A (Tc) 44W (Tc) Montáž na povrch TO-268
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
N-kanál 1700 V 4A (Tc) 44W (Tc) Montáž na povrch TO-268
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

SCT2H12NYTB

Číslo produktu DigiKey
SCT2H12NYTBTR-ND - Páska a cívka (TR)
SCT2H12NYTBCT-ND - Řezaná páska (CT)
SCT2H12NYTBDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce
Číslo produktu výrobce
SCT2H12NYTB
Popis
SICFET N-CH 1700V 4A TO268
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 1700 V 4A (Tc) 44W (Tc) Montáž na povrch TO-268
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
SCT2H12NYTB Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
-
Balení
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
1700 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
18V
Rds zap (max) při Id, Vgs
1,5Ohm při 1,1A, 18V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 410µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
14 nC @ 18 V
Vgs (max)
+22V, -6V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
184 pF @ 800 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
44W (Tc)
Provozní teplota
175°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
TO-268
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.