SCT2H12NYTB Rohm Semiconductor | Diskrétní polovodičové produkty

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SCT2H12NYTB
Číslo produktu DigiKey	SCT2H12NYTBTR-ND - Páska a cívka (TR) SCT2H12NYTBCT-ND - Řezaná páska (CT) SCT2H12NYTBDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Rohm Semiconductor
Číslo produktu výrobce	SCT2H12NYTB
Popis	SICFET N-CH 1700V 4A TO268
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 1700 V 4A (Tc) 44W (Tc) Montáž na povrch TO-268
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SCT2H12NYTB Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Rohm Semiconductor
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Zastaralé
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	SiCFET (karbid křemíku)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	1700 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	4A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	18V
Rds zap (max) při Id, Vgs	1,5Ohm při 1,1A, 18V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 410µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	14 nC @ 18 V
Vgs (max)	+22V, -6V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	184 pF @ 800 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	44W (Tc)
Provozní teplota	175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	TO-268
Pouzdro	TO-268-3, D3PAK (2 přívody + výstupek), TO-268AA
Základní číslo produktu	SCT2H12