SCT2H12NYTB Rohm Semiconductor | Jednoduché tranzistory FET, MOSFET

SCT2H12NYTB je zastaralá a již se nevyrábí.

Dostupné náhrady:

MFR Recommended

Rohm Semiconductor

Skladem : 611

Jednotková cena : 125,36000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SCT2H12NYTB
Číslo produktu DigiKey	SCT2H12NYTBTR-ND - Páska a cívka (TR) SCT2H12NYTBCT-ND - Řezaná páska (CT) SCT2H12NYTBDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Rohm Semiconductor
Číslo produktu výrobce	SCT2H12NYTB
Popis	SICFET N-CH 1700V 4A TO268
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 1700 V 4A (Tc) 44W (Tc) Montáž na povrch TO-268
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SCT2H12NYTB Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4V při 410µA
Mfr Rohm Semiconductor	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 14 nC @ 18 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) +22V, -6V
Stav součásti Zastaralé	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 184 pF @ 800 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 44W (Tc)
Technologie SiCFET (karbid křemíku)	Provozní teplota 175°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 1700 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 4A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra TO-268
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 18V	Pouzdro TO-268-3, D3PAK (2 přívody + výstupek), TO-268AA
Rds zap (max) při Id, Vgs 1,5Ohm při 1,1A, 18V	Základní číslo produktu SCT2H12

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Náhrady (1)

Objednací číslo	Výrobce	DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ	Číslo produktu DigiKey	Jednotková cena	Typ náhrady
SCT2H12NWBTL1	Rohm Semiconductor	611	846-SCT2H12NWBTL1CT-ND	125,36000 Kč	MFR Recommended

Zastaralý

Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.

SCT2H12NYTB