Name: SCT2H12NWBTL1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-SCT2H12NWBTL1TR-ND
Price: 151.6856 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SCT2H12NWBTL1
Číslo produktu DigiKey	846-SCT2H12NWBTL1TR-ND - Páska a cívka (TR) 846-SCT2H12NWBTL1CT-ND - Řezaná páska (CT) 846-SCT2H12NWBTL1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Rohm Semiconductor
Číslo produktu výrobce	SCT2H12NWBTL1
Popis	SICFET N-CH 1700V 4A TO268
Standardní dodací lhůta výrobce	23 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 1700 V 3,9A (Tc) 39W (Tc) Montáž na povrch TO-263CA-7LSHYAD
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4V při 410µA
Mfr Rohm Semiconductor	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 24 nC @ 18 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) +22V, -6V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 197 pF @ 800 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 39W (Tc)
Technologie SiCFET (karbid křemíku)	Provozní teplota 175°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 1700 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 3,9A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra TO-263CA-7LSHYAD
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 18V	Pouzdro TO-263-8, D2PAK (7 přívody + výstupek), TO-263CA
Rds zap (max) při Id, Vgs 1,5Ohm při 1,1A, 18V

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 607

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)

Standardní balení výrobce

Jednotková cena bez DPH:	125,36000 Kč
Jednotková cena s DPH:	151,68560 Kč

SCT2H12NWBTL1