Name: RS6L120BGTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RS6L120BGTB1TR-ND
Price: 118.9067 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

RS6L120BGTB1
Číslo produktu DigiKey	846-RS6L120BGTB1TR-ND - Páska a cívka (TR) 846-RS6L120BGTB1CT-ND - Řezaná páska (CT) 846-RS6L120BGTB1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Rohm Semiconductor
Číslo produktu výrobce	RS6L120BGTB1
Popis	NCH 60V 120A, HSOP8, POWER MOSFE
Standardní dodací lhůta výrobce	18 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 120A (Tc) 104W (Tc) Montáž na povrch 8-HSOP
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2,5V při 1mA
Mfr Rohm Semiconductor	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 51 nC @ 10 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 3520 pF @ 30 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 104W (Tc)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 60 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 120A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra 8-HSOP
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Pouzdro 8-PowerTDFN
Rds zap (max) při Id, Vgs 2,7mOhm při 90A, 10V