Name: RS3E180ATTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RS3E180ATTB1TR-ND
Price: 87.8702 CZK
Availability: InStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

RS3E180ATTB1
Číslo produktu DigiKey	RS3E180ATTB1TR-ND - Páska a cívka (TR) RS3E180ATTB1CT-ND - Řezaná páska (CT) RS3E180ATTB1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Rohm Semiconductor
Číslo produktu výrobce	RS3E180ATTB1
Popis	MOSFET P-CH 30V 18A 8SOP
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 30 V 18A (Ta) 1,4W (Ta) Montáž na povrch 8-SOP
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	RS3E180ATTB1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Rohm Semiconductor
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	18A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	5,4mOhm při 18A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 5mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	160 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	7200 pF @ 15 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	1,4W (Ta)
Provozní teplota	150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	8-SOP
Pouzdro	8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Základní číslo produktu	RS3E

Jednotková cena bez DPH:	72,62000 Kč
Jednotková cena s DPH:	87,87020 Kč

RS3E180ATTB1