RS1P600BETB1 je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

MFR Recommended


Rohm Semiconductor
Skladem : 2 412
Jednotková cena : 82,94000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 1 109
Jednotková cena : 73,68000 Kč
Katalogový list

Similar


Texas Instruments
Skladem : 23 647
Jednotková cena : 47,15000 Kč
Katalogový list
RS1E130GNTB
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

RS1P600BETB1

Číslo produktu DigiKey
RS1P600BETB1TR-ND - Páska a cívka (TR)
RS1P600BETB1CT-ND - Řezaná páska (CT)
RS1P600BETB1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce
Číslo produktu výrobce
RS1P600BETB1
Popis
MOSFET N-CH 100V 17.5A/60A 8HSOP
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 100 V 17,5A (Ta), 60A (Tc) 3W (Ta), 35W (Tc) Montáž na povrch 8-HSOP
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
RS1P600BETB1 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
-
Balení
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
9,7mOhm při 17,5A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 500µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
2200 pF @ 50 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
3W (Ta), 35W (Tc)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
8-HSOP
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.