RS1L145GNTB Rohm Semiconductor | Jednoduché tranzistory FET, MOSFET

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

RS1L145GNTB
Číslo produktu DigiKey	RS1L145GNTBTR-ND - Páska a cívka (TR) RS1L145GNTBCT-ND - Řezaná páska (CT) RS1L145GNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Rohm Semiconductor
Číslo produktu výrobce	RS1L145GNTB
Popis	MOSFET N-CH 60V 14.5A/47A 8HSOP
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 14,5A (Ta), 47A (Tc) 3W (Ta) Montáž na povrch 8-HSOP
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2,7V při 200µA
Mfr Rohm Semiconductor	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 37 nC @ 10 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Zastaralé	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1880 pF @ 30 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 3W (Ta)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 60 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 14,5A (Ta), 47A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra 8-HSOP
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Pouzdro 8-PowerTDFN
Rds zap (max) při Id, Vgs 9,7mOhm při 14,5A, 10V	Základní číslo produktu RS1L

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Náhrady (3)

Objednací číslo	Výrobce	DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ	Číslo produktu DigiKey	Jednotková cena	Typ náhrady
RS6L090BGTB1	Rohm Semiconductor	700	846-RS6L090BGTB1CT-ND	66,14000 Kč	MFR Recommended
BSZ099N06LS5ATMA1	Infineon Technologies	8 953	448-BSZ099N06LS5ATMA1CT-ND	35,91000 Kč	Similar
DMT6010LPS-13	Diodes Incorporated	2 398	DMT6010LPS-13DICT-ND	34,65000 Kč	Similar