Name: RQ6E085BNTCR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ6E085BNTCRTR-ND
Price: 38.6111 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

RQ6E085BNTCR
Číslo produktu DigiKey	RQ6E085BNTCRTR-ND - Páska a cívka (TR) RQ6E085BNTCRCT-ND - Řezaná páska (CT) RQ6E085BNTCRDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Rohm Semiconductor
Číslo produktu výrobce	RQ6E085BNTCR
Popis	MOSFET N-CH 30V 8.5A SOT457
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 30 V 8,5A (Tc) 1,25W (Tc) Montáž na povrch TSMT6 (SC-95)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	RQ6E085BNTCR Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2,5V při 1mA
Mfr Rohm Semiconductor	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 32.7 nC @ 10 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1350 pF @ 15 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 1,25W (Tc)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 30 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 8,5A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra TSMT6 (SC-95)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Pouzdro SOT-23-6 tenký, TSOT-23-6
Rds zap (max) při Id, Vgs 14,4mOhm při 8,5A, 10V	Základní číslo produktu RQ6E085