RQ3P300BETB1 Rohm Semiconductor | Diskrétní polovodičové produkty

RQ3P300BETB1 je zastaralá a již se nevyrábí.

Dostupné náhrady:

Similar

STMicroelectronics

Skladem : 3 390

Jednotková cena : 35,36000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

RQ3P300BETB1
Číslo produktu DigiKey	RQ3P300BETB1TR-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce	Rohm Semiconductor
Číslo produktu výrobce	RQ3P300BETB1
Popis	MOSFET N-CH 100V 10A/36A 8HSMT
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 10A (Ta), 36A (Tc) 2W (Ta), 32W (Tc) Montáž na povrch 8-HSMT (3,2x3)
Modely EDA/CAD	RQ3P300BETB1 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Rohm Semiconductor
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR)
Stav součásti	Zastaralé
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	10A (Ta), 36A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	21mOhm při 10A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 200µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	19.1 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1250 pF @ 50 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	2W (Ta), 32W (Tc)
Provozní teplota	150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	8-HSMT (3,2x3)
Pouzdro	8-PowerVDFN
Základní číslo produktu	RQ3P300