RQ3P300BETB1 je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

Similar

STL8N10F7
STMicroelectronics
Skladem : 2 810
Jednotková cena : 32,13000 Kč
Katalogový list
Zobrazit a porovnat všechny náhrady
N-kanál 100 V 10A (Ta), 36A (Tc) 2W (Ta), 32W (Tc) Montáž na povrch 8-HSMT (3,2x3)
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
N-kanál 100 V 10A (Ta), 36A (Tc) 2W (Ta), 32W (Tc) Montáž na povrch 8-HSMT (3,2x3)
8 HSMT

RQ3P300BETB1

Číslo produktu DigiKey
RQ3P300BETB1TR-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce
Rohm Semiconductor
Číslo produktu výrobce
RQ3P300BETB1
Popis
MOSFET N-CH 100V 10A/36A 8HSMT
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 100 V 10A (Ta), 36A (Tc) 2W (Ta), 32W (Tc) Montáž na povrch 8-HSMT (3,2x3)
Modely EDA/CAD
RQ3P300BETB1 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Rohm Semiconductor
Řada
-
Balení
Páska a cívka (TR)
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
10A (Ta), 36A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
21mOhm při 10A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 200µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
19.1 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
1250 pF @ 50 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
2W (Ta), 32W (Tc)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
8-HSMT (3,2x3)
Pouzdro
8-PowerVDFN
Základní číslo produktu
RQ3P300
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.