Name: RH7G04CBJFRATCB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RH7G04CBJFRATCBTR-ND
Price: 53.7482 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

RH7G04CBJFRATCB
Číslo produktu DigiKey	846-RH7G04CBJFRATCBTR-ND - Páska a cívka (TR) 846-RH7G04CBJFRATCBCT-ND - Řezaná páska (CT) 846-RH7G04CBJFRATCBDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Rohm Semiconductor
Číslo produktu výrobce	RH7G04CBJFRATCB
Popis	PCH -40V -40A, DFN3333T8LSAB, PO
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 40 V 40A (Tc) 62W (Tc) Montáž na povrch DFN3333T8LSAB
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 33 nC @ 10 V
Mfr Rohm Semiconductor	Vgs (max) +5V, -20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1850 pF @ 20 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 62W (Tc)
Typ tranzistoru FET P-kanál	Provozní teplota 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Třída Automobilový průmysl
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 40 V	Kvalifikace AEC-Q101
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 40A (Tc)	Způsob montáže Montáž na povrch
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Dodávaná velikost pouzdra DFN3333T8LSAB
Rds zap (max) při Id, Vgs 17,7mOhm při 20A, 10V	Pouzdro 8-PowerTDFN
Vgs(th) (max) při Id 2,5V při 1,3mA