Name: AG532EES4FRATCB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-AG532EES4FRATCBTR-ND
Price: 60.8146 CZK
Availability: InStock

Novinka od společnosti DigiKey

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

AG532EES4FRATCB
Číslo produktu DigiKey	846-AG532EES4FRATCBTR-ND - Páska a cívka (TR) 846-AG532EES4FRATCBCT-ND - Řezaná páska (CT) 846-AG532EES4FRATCBDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Rohm Semiconductor
Číslo produktu výrobce	AG532EES4FRATCB
Popis	PCH -30V -85A, HPLF5060T5LSAH, P
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 30 V 85A (Tc) 75W (Tc) Montáž na povrch HPLF5060T5LSAH
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 38 nC @ 10 V
Mfr Rohm Semiconductor	Vgs (max) +5V, -20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1840 pF @ 15 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 75W (Tc)
Typ tranzistoru FET P-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Třída Automobilový průmysl
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 30 V	Kvalifikace AEC-Q101
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 85A (Tc)	Způsob montáže Montáž na povrch
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Dodávaná velikost pouzdra HPLF5060T5LSAH
Rds zap (max) při Id, Vgs 10,3mOhm při 10A, 10V	Pouzdro SC-100, SOT-669
Vgs(th) (max) při Id 2,5V při 2,5mA