Name: RF4E100AJTCR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RF4E100AJTCRTR-ND
Price: 37.3527 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

RF4E100AJTCR
Číslo produktu DigiKey	RF4E100AJTCRTR-ND - Páska a cívka (TR) RF4E100AJTCRCT-ND - Řezaná páska (CT) RF4E100AJTCRDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Rohm Semiconductor
Číslo produktu výrobce	RF4E100AJTCR
Popis	MOSFET N-CH 30V 10A HUML2020L8
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 30 V 10A (Ta) 2W (Tc) Montáž na povrch HUML2020L8
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	RF4E100AJTCR Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 1,5V při 1mA
Mfr Rohm Semiconductor	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 13 nC @ 4.5 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±12V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1460 pF @ 15 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 2W (Tc)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 30 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 10A (Ta)	Dodávaná velikost pouzdra HUML2020L8
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V	Pouzdro 8-PowerUDFN
Rds zap (max) při Id, Vgs 12,4mOhm při 10A, 4,5V	Základní číslo produktu RF4E100

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 5 915

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)