R6012FNX je k dispozici pro nákup, avšak není běžně skladem.
Dostupné náhrady:

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 0
Jednotková cena : 35,67581 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 577
Jednotková cena : 55,22000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 972
Jednotková cena : 46,41000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 49
Jednotková cena : 78,95000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 1 700
Jednotková cena : 40,53000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 0
Jednotková cena : 103,31000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 948
Jednotková cena : 98,06000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 65,51000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 20,04511 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 218
Jednotková cena : 61,10000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 1 328
Jednotková cena : 38,43000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 313
Jednotková cena : 87,35000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 378
Jednotková cena : 55,22000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 0
Jednotková cena : 18,04274 Kč
Katalogový list
N-kanál 600 V 12A (Tc) 50W (Tc) Průchozí otvor TO-220FM
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

R6012FNX

Číslo produktu DigiKey
R6012FNX-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
R6012FNX
Popis
MOSFET N-CH 600V 12A TO220FM
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 600 V 12A (Tc) 50W (Tc) Průchozí otvor TO-220FM
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
R6012FNX Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
-
Balení
Hromadné balení
Stav součásti
Není určeno pro nové konstrukce
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
600 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
510mOhm při 6A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
5V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
1300 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
50W (Tc)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
TO-220FM
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

K dispozici pro objednání
Tento produkt není veden skladem u společnosti DigiKey. Uvedená dodací lhůta se bude vztahovat na dodávku od výrobce do společnosti DigiKey. Společnost DigiKey expeduje produkt po jeho obdržení a vyřídí tak otevřené objednávky.
Není doporučeno pro nové konstrukční řešení, mohou platit minimální množství. Zobrazit Náhrady.
Všechny ceny jsou v CZK
Hromadné balení
Množství Jednotková cena Celk. cena
50052,74698 Kč26 373,49 Kč
Standardní balení výrobce
Jednotková cena bez DPH:52,74698 Kč
Jednotková cena s DPH:63,82385 Kč