Name: R6012FNX
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: R6012FNX-ND
Price: 63.3132 CZK
Availability: OutOfStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

R6012FNX
Číslo produktu DigiKey	R6012FNX-ND
Výrobce	Rohm Semiconductor
Číslo produktu výrobce	R6012FNX
Popis	MOSFET N-CH 600V 12A TO220FM
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 600 V 12A (Tc) 50W (Tc) Průchozí otvor TO-220FM
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	R6012FNX Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Rohm Semiconductor
Řada	-
Balení	Hromadné balení
Stav součásti	Není určeno pro nové konstrukce
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	600 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	12A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	510mOhm při 6A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	5V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	35 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1300 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	50W (Tc)
Provozní teplota	150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra	TO-220FM
Pouzdro	Plná výzbroj TO-220-3
Základní číslo produktu	R6012

Jednotková cena bez DPH:	52,32496 Kč
Jednotková cena s DPH:	63,31320 Kč

R6012FNX