R6012ANX je k dispozici pro nákup, avšak není běžně skladem.
Dostupné náhrady:

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 680
Jednotková cena : 91,34000 Kč
Katalogový list

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Skladem : 149
Jednotková cena : 78,32000 Kč
Katalogový list

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Skladem : 315
Jednotková cena : 83,99000 Kč
Katalogový list

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Skladem : 228
Jednotková cena : 89,03000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 948
Jednotková cena : 101,84000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 1 046
Jednotková cena : 82,52000 Kč

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 140
Jednotková cena : 32,97000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 814
Jednotková cena : 72,86000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 197
Jednotková cena : 78,95000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 1 867
Jednotková cena : 81,05000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 1 359
Jednotková cena : 96,17000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 603
Jednotková cena : 108,35000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 3
Jednotková cena : 74,33000 Kč
Katalogový list

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
Skladem : 7
Jednotková cena : 101,00000 Kč
Katalogový list
N-kanál 600 V 12A (Ta) 50W (Tc) Průchozí otvor TO-220FM
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

R6012ANX

Číslo produktu DigiKey
R6012ANX-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
R6012ANX
Popis
MOSFET N-CH 600V 12A TO220FM
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 600 V 12A (Ta) 50W (Tc) Průchozí otvor TO-220FM
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
R6012ANX Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
-
Balení
Hromadné balení
Stav součásti
Není určeno pro nové konstrukce
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
600 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
420mOhm při 6A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4,5V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
1300 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
50W (Tc)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
TO-220FM
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

K dispozici pro objednání
Tento produkt není veden skladem u společnosti DigiKey. Uvedená dodací lhůta se bude vztahovat na dodávku od výrobce do společnosti DigiKey. Společnost DigiKey expeduje produkt po jeho obdržení a vyřídí tak otevřené objednávky.
Není doporučeno pro nové konstrukční řešení, mohou platit minimální množství. Zobrazit Náhrady.
Všechny ceny jsou v CZK
Hromadné balení
Množství Jednotková cena Celk. cena
50043,78754 Kč21 893,77 Kč
Standardní balení výrobce
Jednotková cena bez DPH:43,78754 Kč
Jednotková cena s DPH:52,98292 Kč