Name: R6009ENJTL
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: R6009ENJTLTR-ND
Price: 92.7102 CZK
Availability: OutOfStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

R6009ENJTL
Číslo produktu DigiKey	R6009ENJTLTR-ND - Páska a cívka (TR) R6009ENJTLCT-ND - Řezaná páska (CT) R6009ENJTLDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Rohm Semiconductor
Číslo produktu výrobce	R6009ENJTL
Popis	MOSFET N-CH 600V 9A LPTS
Standardní dodací lhůta výrobce	23 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 600 V 9A (Tc) 40W (Tc) Montáž na povrch LPTS
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	R6009ENJTL Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Rohm Semiconductor
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	600 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	9A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	535mOhm při 2,8A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	23 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	430 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	40W (Tc)
Provozní teplota	150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	LPTS
Pouzdro	TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Základní číslo produktu	R6009

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
1 000	26,54700 Kč	26 547,00 Kč
2 000	25,12844 Kč	50 256,88 Kč

Jednotková cena bez DPH:	76,62000 Kč
Jednotková cena s DPH:	92,71020 Kč

R6009ENJTL