
BST70B2P4K01-VC | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | 846-BST70B2P4K01-VC-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | BST70B2P4K01-VC |
Popis | HSDIP20, 1200V, 70A, FULL-BRIDGE |
Standardní dodací lhůta výrobce | 27 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 70A (Tc) 385W (Tc) Průchozí otvor 20-HSDIP |
Katalogový list | Katalogový list |
Typ | Popis | Vybrat vše |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Výrobce | Rohm Semiconductor | |
Řada | - | |
Balení | Krabice | |
Stav součásti | Aktivní | |
Technologie | Karbid křemíku (SiC) | |
Konfigurace | 4 N-kanál (polomůstek) | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 1200V (1,2kV) | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | 70A (Tc) | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 25mOhm při 70A, 18V | |
Vgs(th) (max) při Id | 4,8V při 22,2mA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 170nC při 18V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 4500pF při 800V | |
Výkon - max | 385W (Tc) | |
Provozní teplota | -40°C ~ 175°C | |
Třída | - | |
Kvalifikace | - | |
Způsob montáže | Průchozí otvor | |
Pouzdro | Modul 20-PowerDIP (1,508", 38,30mm) | |
Dodávaná velikost pouzdra | 20-HSDIP |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 2 265,86000 Kč | 2 265,86 Kč |
| 10 | 1 902,57200 Kč | 19 025,72 Kč |
| 60 | 1 744,50683 Kč | 104 670,41 Kč |
| 120 | 1 701,75342 Kč | 204 210,41 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 2 265,86000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 2 741,69060 Kč |




