Novinka od společnosti DigiKey
Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 70A (Tc) 385W (Tc) Průchozí otvor 20-HSDIP
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

BST70B2P4K01-VC

Číslo produktu DigiKey
846-BST70B2P4K01-VC-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
BST70B2P4K01-VC
Popis
HSDIP20, 1200V, 70A, FULL-BRIDGE
Standardní dodací lhůta výrobce
27 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 70A (Tc) 385W (Tc) Průchozí otvor 20-HSDIP
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Výrobce
Rohm Semiconductor
Řada
-
Balení
Krabice
Stav součásti
Aktivní
Technologie
Karbid křemíku (SiC)
Konfigurace
4 N-kanál (polomůstek)
Funkce tranzistoru FET
-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
1200V (1,2kV)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
70A (Tc)
Rds zap (max) při Id, Vgs
25mOhm při 70A, 18V
Vgs(th) (max) při Id
4,8V při 22,2mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
170nC při 18V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
4500pF při 800V
Výkon - max
385W (Tc)
Provozní teplota
-40°C ~ 175°C
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Pouzdro
Modul 20-PowerDIP (1,508", 38,30mm)
Dodávaná velikost pouzdra
20-HSDIP
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 4
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Všechny ceny jsou v CZK
Krabice
Množství Jednotková cena Celk. cena
12 265,86000 Kč2 265,86 Kč
101 902,57200 Kč19 025,72 Kč
601 744,50683 Kč104 670,41 Kč
1201 701,75342 Kč204 210,41 Kč
Standardní balení výrobce
Jednotková cena bez DPH:2 265,86000 Kč
Jednotková cena s DPH:2 741,69060 Kč