Name: BST70B2P4K01-VC
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-BST70B2P4K01-VC-ND
Price: 2506.7086 CZK
Availability: OutOfStock

Novinka od společnosti DigiKey

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

BST70B2P4K01-VC
Číslo produktu DigiKey	846-BST70B2P4K01-VC-ND
Výrobce	Rohm Semiconductor
Číslo produktu výrobce	BST70B2P4K01-VC
Popis	HSDIP20, 1200V, 70A, FULL-BRIDGE
Standardní dodací lhůta výrobce	27 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 70A (Tc) 385W (Tc) Průchozí otvor 20-HSDIP
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4,8V při 22,2mA
Výrobce Rohm Semiconductor	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 170nC při 18V
Balení Krabice	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 4500pF při 800V
Stav součásti Aktivní	Výkon - max 385W (Tc)
Technologie Karbid křemíku (SiC)	Provozní teplota -40°C ~ 175°C
Konfigurace 4 N-kanál (polomůstek)	Způsob montáže Průchozí otvor
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 1200V (1,2kV)	Pouzdro Modul 20-PowerDIP (1,508", 38,30mm)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 70A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra 20-HSDIP
Rds zap (max) při Id, Vgs 25mOhm při 70A, 18V