Name: IRFD9110
Brand: Harris Corporation
SKU: 2156-IRFD9110-ND
Price: 13.97418 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IRFD9110
Číslo produktu DigiKey	2156-IRFD9110-ND
Výrobce	Harris Corporation
Číslo produktu výrobce	IRFD9110
Popis	0.7A 100V 1.200 OHM P-CHANNEL
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 100 V 700mA (Ta) 1,3W (Ta) Průchozí otvor 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4V při 250µA
Mfr Harris Corporation	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 8.7 nC @ 10 V
Balení Hromadné balení	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 200 pF @ 25 V
Typ tranzistoru FET P-kanál	Rozptylový výkon (Max) 1,3W (Ta)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100 V	Způsob montáže Průchozí otvor
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 700mA (Ta)	Dodávaná velikost pouzdra 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Pouzdro 4-DIP (0,300", 7,62mm)
Rds zap (max) při Id, Vgs 1,2Ohm při 420mA, 10V	Základní číslo produktu IRFD9110

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 7 812

Nezrušitelné/nevratné

PRODUKT SLUŽBY MARKETPLACE

Expedice proběhne přibližně za 10 dní od Rochester Electronics LLC

Bude použit samostatný poplatek za dopravu 1 910,82 Kč s paušální sazbou

Maximální nákupní limit

Abychom vyhověli všem potřebám zákazníků v oblasti výzkumu a vývoje, je pro tento produkt stanoven nákupní strop. Tento strop znamená možnost nákupu každých 30 dní; všechny objednávky přesahující tento limit mohou být zrušeny.

Hromadné balení:

7812

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Hromadné balení