MFR Recommended
Similar
Similar

IPP80R1K2P7XKSA1 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | IPP80R1K2P7XKSA1-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | IPP80R1K2P7XKSA1 |
Popis | MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220-3 |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 800 V 4,5A (Tc) 37W (Tc) Průchozí otvor PG-TO220-3 |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | IPP80R1K2P7XKSA1 Modely |
Kategorie | Vgs(th) (max) při Id 3,5V při 80µA |
Mfr | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 11 nC @ 10 V |
Řada | Vgs (max) ±20V |
Balení Trubice | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 300 pF @ 500 V |
Stav součásti Zastaralé | Rozptylový výkon (Max) 37W (Tc) |
Typ tranzistoru FET | Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologie | Způsob montáže Průchozí otvor |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 800 V | Dodávaná velikost pouzdra PG-TO220-3 |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | Pouzdro |
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V | Základní číslo produktu |
Rds zap (max) při Id, Vgs 1,2Ohm při 1,7A, 10V |
| Objednací číslo | Výrobce | DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ | Číslo produktu DigiKey | Jednotková cena | Typ náhrady |
|---|---|---|---|---|---|
| IPD80R1K2P7ATMA1 | Infineon Technologies | 1 776 | IPD80R1K2P7ATMA1CT-ND | 40,95000 Kč | MFR Recommended |
| IRFBC40PBF | Vishay Siliconix | 456 | IRFBC40PBF-ND | 72,02000 Kč | Similar |
| IXFP10N80P | IXYS | 240 | IXFP10N80P-ND | 174,49000 Kč | Similar |











