Name: IPD80R1K2P7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD80R1K2P7ATMA1TR-ND
Price: 43.7052 CZK
Availability: InStock

IPD80R1K2P7ATMA1
Číslo produktu DigiKey	IPD80R1K2P7ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) IPD80R1K2P7ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) IPD80R1K2P7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPD80R1K2P7ATMA1
Popis	MOSFET N-CH 800V 4.5A TO252-3
Standardní dodací lhůta výrobce	24 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 800 V 4,5A (Tc) 37W (Tc) Montáž na povrch PG-TO252-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPD80R1K2P7ATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	CoolMOS™ P7
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	800 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	4,5A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	1,2Ohm při 1,7A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3,5V při 80µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	11 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	300 pF @ 500 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	37W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO252-3
Pouzdro	TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Základní číslo produktu	IPD80R1

Jednotková cena bez DPH:	36,12000 Kč
Jednotková cena s DPH:	43,70520 Kč

IPD80R1K2P7ATMA1