IPP057N06N3GXKSA1 je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

MFR Recommended


Infineon Technologies
Skladem : 1 305
Jednotková cena : 17,01000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 12 153
Jednotková cena : 29,39000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 893
Jednotková cena : 37,14000 Kč
Katalogový list

Direct


onsemi
Skladem : 33
Jednotková cena : 31,47000 Kč
Katalogový list

Similar


Texas Instruments
Skladem : 0
Jednotková cena : 21,74000 Kč
Katalogový list

Similar


Diodes Incorporated
Skladem : 0
Jednotková cena : 8,04580 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 4 452
Jednotková cena : 34,87000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 3 950
Jednotková cena : 37,23000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 4 643
Jednotková cena : 33,64000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 21
Jednotková cena : 46,97000 Kč
Katalogový list

Similar


Nexperia USA Inc.
Skladem : 550
Jednotková cena : 28,73000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 1 012
Jednotková cena : 45,17000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 629
Jednotková cena : 27,41000 Kč
Katalogový list

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
Skladem : 46
Jednotková cena : 22,02000 Kč
Katalogový list
N-kanál 60 V 80A (Tc) 115W (Tc) Průchozí otvor PG-TO220-3
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPP057N06N3GXKSA1

Číslo produktu DigiKey
IPP057N06N3GXKSA1-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IPP057N06N3GXKSA1
Popis
MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 60 V 80A (Tc) 115W (Tc) Průchozí otvor PG-TO220-3
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
IPP057N06N3GXKSA1 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Trubice
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
5,7mOhm při 80A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 58µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
82 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
6600 pF @ 30 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
115W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
PG-TO220-3
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Skladové zásoby Marketplace: 56 500 Zobrazit nyní
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.

Other Suppliers on DigiKey

56 500Skladem
Expedováno od Rochester Electronics, LLC