IPAW70R950CEXKSA1 je zastaralá a již se nevyrábí.

Dostupné náhrady:

Similar

STMicroelectronics

Skladem : 997

Jednotková cena : 49,10000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPAW70R950CEXKSA1
Číslo produktu DigiKey	IPAW70R950CEXKSA1-ND
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPAW70R950CEXKSA1
Popis	MOSFET N-CH 700V 7.4A TO220-3-31
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 700 V 7,4A (Tc) 68W (Tc) Průchozí otvor PG-TO220-3-FP
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	CoolMOS™ CE
Balení	Trubice
Stav součásti	Zastaralé
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	700 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	7,4A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	950mOhm při 1,5A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3,5V při 150µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	15.3 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	328 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	68W (Tc)
Provozní teplota	-40°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO220-3-FP
Pouzdro	Plná výzbroj TO-220-3
Základní číslo produktu	IPAW70