Similar
Similar
Similar
Similar
Parametrický ekvivalent



IPAW60R360P7SXKSA1 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | IPAW60R360P7SXKSA1-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | IPAW60R360P7SXKSA1 |
Popis | MOSFET N-CH 650V 9A TO220 |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 650 V 9A (Tc) 22W (Tc) Průchozí otvor Plná výzbroj PG-TO220 |
Katalogový list | Katalogový list |
Kategorie | Vgs(th) (max) při Id 4V při 140µA |
Mfr | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 13 nC @ 10 V |
Řada | Vgs (max) ±30V |
Balení Trubice | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 555 pF @ 400 V |
Stav součásti Zastaralé | Rozptylový výkon (Max) 22W (Tc) |
Typ tranzistoru FET | Provozní teplota -40°C ~ 150°C (TJ) |
Technologie | Způsob montáže Průchozí otvor |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 650 V | Dodávaná velikost pouzdra Plná výzbroj PG-TO220 |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | Pouzdro |
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V | Základní číslo produktu |
Rds zap (max) při Id, Vgs 360mOhm při 2,7A, 10V |
| Objednací číslo | Výrobce | DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ | Číslo produktu DigiKey | Jednotková cena | Typ náhrady |
|---|---|---|---|---|---|
| AOTF11S65L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 149 | 785-1517-5-ND | 78,32000 Kč | Similar |
| STFU18N65M2 | STMicroelectronics | 910 | 497-16306-5-ND | 70,55000 Kč | Similar |
| TK10A60W,S4VX | Toshiba Semiconductor and Storage | 112 | TK10A60WS4VX-ND | 84,62000 Kč | Similar |
| TK11A65W,S5X | Toshiba Semiconductor and Storage | 37 | TK11A65WS5X-ND | 46,62000 Kč | Similar |
| IPAW60R360P7SXKSA1 | Rochester Electronics, LLC | 450 | 2156-IPAW60R360P7SXKSA1-ND | 16,16846 Kč | Parametrický ekvivalent |














